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旋转涂膜机在半导体光刻工艺中的应用

作者:沈阳科晶日期:2019-05-08

半导体光刻工艺过程要在洁净室中进行,且洁净室的等级要达到半导体光刻工艺的要求。光刻的目的是将掩膜版的图形转移到光刻胶,再通过刻蚀将光刻胶的图形永久转移到硅片表面。

光刻工艺的基本过程:

 

 

涂胶:涂胶时选用沈阳科晶自动化设备河北快3制造的VTC-100PA-UV紫外光旋转涂膜机将光刻胶均匀的涂在硅片表面,膜厚度与旋转速度的平方根成反比 。

前烘:涂膜后用沈阳科晶自动化设备河北快3的HT-150型精密烤胶机对硅片进行前期烘烤,去除胶内的溶剂,从而提高胶体在硅片表面的粘附力,提高胶体薄膜的抗机械摩擦能力,并减小高速旋转形成的薄膜内部的应力。一般前烘的温度范围在90—120℃,烘烤时间在60—120s的范围内。

曝光:进行前烘后的带薄膜硅片再移入到VTC-100PA-UV 紫外光旋转涂膜机中进行曝光,光通过掩膜版照射到硅片表面的光刻胶薄膜上,被光照射到的薄膜发生化学反应,感光区与未感光区的光刻胶对碱性溶液的溶解度不同,从而使掩膜版的图形完整的传递硅片表面。一般情况下曝光时所选用的紫外光光源在180~330nm范围内,波长越长能量越大,曝光所使用的时间越短,具体曝光光源和时间应根据不同工艺进行确定。

显影:显影方式通常有两种,一种为浸渍显影,另一种为旋转喷雾显影,在本工艺流程中选用旋转喷雾的方法进行显影,设备选用沈阳科晶自动化设备河北快3制造的VTC-200-4P喷雾旋转涂膜机。将一定浓度的显影液经雾化后喷到光刻胶薄膜的表面,使曝光区和非曝光区的部分光刻胶溶解,从而使胶膜中的潜影显现出来。显影后留下的光刻胶图形在后期的刻蚀工艺中作为掩模使用。

坚膜:显影后直接用VTC-200-4P喷雾旋转涂膜机的可加热上盖对薄膜再次进行烘烤,进一步使胶内残留的溶剂蒸发出去,使胶内的残留溶剂含量达到最低,使胶膜硬化。

刻蚀: 利用腐蚀工艺将未被抗蚀剂掩蔽的区域的胶体去除,留下抗蚀剂所掩蔽部分的图案。

去胶:使用VTC-200-4P喷雾旋转涂膜机利用湿法去胶工艺,将有机溶剂滴洒在图案表面的光刻胶薄膜上,使光刻胶薄膜溶解去除从而留下洁净的图案。

在进行涂膜时沈阳科晶自动化设备河北快3可选用的涂膜设备有VTC-100PA真空旋转涂膜机、VTC-100PA-Ⅱ上盖加热型真空旋转涂膜机、VTC-200P真空旋转涂膜机、VTC-200PV真空旋转涂膜机、VTC-200-4P喷雾旋转涂覆机及VTC-100PA-UV型紫外光旋转涂膜机,可根据具体的工艺方式选择不同的旋转涂膜机。

烤胶机可选用我公司的HT-150型精密烤胶机及HT-200型高精密程控烤胶机,根据需要来选取不同配置的烤胶机。

本公司的设备体积小巧,操作简单,可选功能齐全,性能可媲美国外几十万的设备,是半导体行业的不二选择。

沈阳科晶自动化河北快3设备展示:

一、旋转涂膜机

 

VTC-100PA真空旋转涂膜机

 

VTC-200P真空旋转涂膜机

 

VTC-200PV真空旋转涂膜机

 

VTC-200-4P喷雾旋转涂覆机

 

VTC-100PA-UV型紫外光旋转涂膜机

 

VTC-100PA-Ⅱ上盖加热型真空旋转涂膜机

二、烤胶机

             

HT-150型精密烤胶机                    HT-200型高精密程控烤胶机

 

 

 

 

注:本文中部分专业知识为引用知识,出处未知。

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